창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EMG1T2R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EMG1, UMG1N, FMG1A | |
카탈로그 페이지 | 1637 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
전력 - 최대 | 150mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD(5리드), 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | EMT5 | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | EMG1T2RTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EMG1T2R | |
관련 링크 | EMG1, EMG1T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
S102K33Y5PP63K5R | 1000pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | S102K33Y5PP63K5R.pdf | ||
C1210C681J1GACTU | 680pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C681J1GACTU.pdf | ||
SIT5001AI-GE-33E0-40.000000T | OSC XO 3.3V 40MHZ OE | SIT5001AI-GE-33E0-40.000000T.pdf | ||
ELL-6PM7R5N | 7.5µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 70 mOhm Nonstandard | ELL-6PM7R5N.pdf | ||
CR0402-FX-3481GLF | RES SMD 3.48K OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-3481GLF.pdf | ||
CMF5583K500BHEA | RES 83.5K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5583K500BHEA.pdf | ||
T-7633-TL2 | T-7633-TL2 AGERE SMD or Through Hole | T-7633-TL2.pdf | ||
AD8200ARMZ (AD8002ARMZ) | AD8200ARMZ (AD8002ARMZ) ORIGINAL SMD or Through Hole | AD8200ARMZ (AD8002ARMZ).pdf | ||
MI-7684-5 | MI-7684-5 HARRIS CDIP-18 | MI-7684-5.pdf | ||
WSL2010R0270FTA | WSL2010R0270FTA VISHAY SMD or Through Hole | WSL2010R0270FTA.pdf | ||
TAJV107M025R | TAJV107M025R AVX SMD or Through Hole | TAJV107M025R.pdf |