홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » EMF17T2R

Rohm Semiconductor EMF17T2R

EMF17T2R
제조업체 부품 번호
EMF17T2R
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
데이터 시트 다운로드
다운로드
EMF17T2R 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 113.42075
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 EMF17T2R 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. EMF17T2R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. EMF17T2R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
EMF17T2R 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
EMF17T2R 매개 변수
내부 부품 번호EIS-EMF17T2R
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서EMF17(N)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
트랜지스터 유형1 NPN 사전 바이어싱, 1 PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA, 150mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)2.2k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션250MHz, 140MHz
전력 - 최대150mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지EMT6
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)EMF17T2R
관련 링크EMF1, EMF17T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
EMF17T2R 의 관련 제품
RES SMD 130K OHM 0.1% 1/4W 1210 RT1210BRB07130KL.pdf
SR73K2ETDFR62 KOA SMD SR73K2ETDFR62.pdf
LT3474EFE LT TSSOP LT3474EFE.pdf
MT55V512V36PT-7.5:C MICRONTECHNOLOGYINC ORIGINAL MT55V512V36PT-7.5:C.pdf
JAPAN-180R SONY QFP JAPAN-180R.pdf
SGFHCB-32MHZ ARGOSY DIP-6 SGFHCB-32MHZ.pdf
102540K API SMD or Through Hole 102540K.pdf
SM75719EL BOURNS SMD or Through Hole SM75719EL.pdf
YY0027 ORIGINAL SMD or Through Hole YY0027.pdf
AP238G ST SOP-16 AP238G.pdf
932AI ST SOP-8 932AI.pdf
0165#300A LEM SMD or Through Hole 0165#300A.pdf