창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EFC6611R-TF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EFC6611R | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Chg 18/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연 | |
공급 장치 패키지 | 6-CSP(1.77x3.54) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EFC6611R-TF | |
관련 링크 | EFC661, EFC6611R-TF 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D241KLPAJ | 240pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D241KLPAJ.pdf | |
![]() | RC1218FK-07200RL | RES SMD 200 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218FK-07200RL.pdf | |
![]() | CW02B50R00JS70 | RES 50 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B50R00JS70.pdf | |
![]() | GT48312-B-1 | GT48312-B-1 GALILEO QFP | GT48312-B-1.pdf | |
![]() | TMP47P860N-P125 | TMP47P860N-P125 Toshiba DIP | TMP47P860N-P125.pdf | |
![]() | LC425675FT256B-10I | LC425675FT256B-10I LATTICE BGA | LC425675FT256B-10I.pdf | |
![]() | ADV7612BSWZ-P | ADV7612BSWZ-P ADI SMD | ADV7612BSWZ-P.pdf | |
![]() | S3F9488XZZ-SO98 | S3F9488XZZ-SO98 SAMSUNG SOP | S3F9488XZZ-SO98.pdf | |
![]() | SPT774BCD | SPT774BCD FAIRCHILD CDIP28 | SPT774BCD.pdf | |
![]() | SFH617G-1V | SFH617G-1V VS DIP4 | SFH617G-1V.pdf | |
![]() | RK73H2AFTDD1K2 | RK73H2AFTDD1K2 N/A SMD or Through Hole | RK73H2AFTDD1K2.pdf | |
![]() | ISL58837Z6 | ISL58837Z6 INTERSIL QFN28 | ISL58837Z6.pdf |