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ON Semiconductor EFC4618R-P-TR

EFC4618R-P-TR
제조업체 부품 번호
EFC4618R-P-TR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH EFCP1818
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EFC4618R-P-TR 매개 변수
내부 부품 번호EIS-EFC4618R-P-TR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서EFC4618R-P
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(이중) 공통 드레인
FET 특징논리 레벨 게이트, 2.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)-
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C-
Rds On(최대) @ Id, Vgs-
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs25.4nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대1.6W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스4-XBGA, 4-FCBGA
공급 장치 패키지EFCP1313-4CC-037
표준 포장 5,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)EFC4618R-P-TR
관련 링크EFC4618, EFC4618R-P-TR 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
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