창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EFC4615R-TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EFC4615R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 24V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 31m옴 @ 3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-XBGA, 4-FCBGA | |
| 공급 장치 패키지 | EFCP1515-4CC-037 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EFC4615R-TR | |
| 관련 링크 | EFC461, EFC4615R-TR 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ATS060C-E | 6MHz ±30ppm 수정 32pF 80옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | ATS060C-E.pdf | |
![]() | 416F27123ITR | 27.12MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27123ITR.pdf | |
![]() | FE-41164 | INFRARED SENSOR COMPONENT PART | FE-41164.pdf | |
![]() | C3216JF1C226Z160AA | C3216JF1C226Z160AA TDK SMD or Through Hole | C3216JF1C226Z160AA.pdf | |
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![]() | TPS1042DRBR | TPS1042DRBR TI SMD or Through Hole | TPS1042DRBR.pdf | |
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![]() | N330SH18 | N330SH18 WESTCODE SMD or Through Hole | N330SH18.pdf | |
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