창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EDZVT2R33B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EDZV Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 150mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 250옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 25V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | EMD2 | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | EDZVT2R33B-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EDZVT2R33B | |
관련 링크 | EDZVT2, EDZVT2R33B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ1812A120JBGAT4X | 12pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A120JBGAT4X.pdf | |
![]() | MCR03ERTF7683 | RES SMD 768K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03ERTF7683.pdf | |
![]() | 16CYQ060G | 16CYQ060G IR TO-220 | 16CYQ060G.pdf | |
![]() | V23826-C8-C63 | V23826-C8-C63 ORIGINAL SMD or Through Hole | V23826-C8-C63.pdf | |
![]() | HTVA-01A | HTVA-01A SMIS PLCC-84 | HTVA-01A.pdf | |
![]() | WA3-220S09 | WA3-220S09 SANGMEI DIP | WA3-220S09.pdf | |
![]() | 54LS04JB | 54LS04JB TI DIP | 54LS04JB.pdf | |
![]() | 2SK721 TE12L(Z1) | 2SK721 TE12L(Z1) TOSHIBA SOT89 | 2SK721 TE12L(Z1).pdf | |
![]() | HMC852LC3C | HMC852LC3C HITTITE SMD or Through Hole | HMC852LC3C.pdf | |
![]() | L-513RT(LF) | L-513RT(LF) PARA SMD or Through Hole | L-513RT(LF).pdf | |
![]() | Q22FA1280002011 | Q22FA1280002011 SEI DIPSOP | Q22FA1280002011.pdf | |
![]() | TS810RDCX TEL:82766440 | TS810RDCX TEL:82766440 Semiconductor SOT23 | TS810RDCX TEL:82766440.pdf |