창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EDZTE618.2B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EDZ8.2B | |
| 카탈로그 페이지 | 1644 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | EMD2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | EDZTE618.2BTR EDZTE6182B | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EDZTE618.2B | |
| 관련 링크 | EDZTE6, EDZTE618.2B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D100KXXAP | 10pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D100KXXAP.pdf | |
![]() | LQW15AN12NJ00D | 12nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 140 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN12NJ00D.pdf | |
![]() | LL5267B | LL5267B ORIGINAL SMD or Through Hole | LL5267B.pdf | |
![]() | TC58NVG1S3ETAI0B3H | TC58NVG1S3ETAI0B3H TOSHIBA SMD or Through Hole | TC58NVG1S3ETAI0B3H.pdf | |
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![]() | RDF16SL5-4.5 101J | RDF16SL5-4.5 101J AUK NA | RDF16SL5-4.5 101J.pdf | |
![]() | EPM7128ELC84-6/10/15 | EPM7128ELC84-6/10/15 ALTERA PLCC | EPM7128ELC84-6/10/15.pdf | |
![]() | CY7C09279-6AC | CY7C09279-6AC CY QFP | CY7C09279-6AC.pdf | |
![]() | UPC29M33T-E | UPC29M33T-E NEC SOT-252 | UPC29M33T-E.pdf | |
![]() | 595D105X0050A2T | 595D105X0050A2T VISHAY A | 595D105X0050A2T.pdf | |
![]() | 3B47-E-08 | 3B47-E-08 AD S N | 3B47-E-08.pdf | |
![]() | FN4L3M-T1B(ND1) | FN4L3M-T1B(ND1) NEC SOT23 | FN4L3M-T1B(ND1).pdf |