창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EDZTE6110B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EDZ10B | |
| 카탈로그 페이지 | 1644 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | EMD2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | EDZTE6110BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EDZTE6110B | |
| 관련 링크 | EDZTE6, EDZTE6110B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SI4463BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC | SI4463BDY-T1-E3.pdf | |
![]() | 1N108 | 1N108 ORIGINAL DIP | 1N108.pdf | |
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![]() | ZL50120GAG2 | ZL50120GAG2 ZARLTNK BGA | ZL50120GAG2.pdf | |
![]() | SNJ55113J 5962-8874401EA | SNJ55113J 5962-8874401EA TI CDIP16 | SNJ55113J 5962-8874401EA.pdf | |
![]() | QX410CSDC24 | QX410CSDC24 NQ DIP6 | QX410CSDC24.pdf | |
![]() | MUR860(U860) | MUR860(U860) ON TO-220 | MUR860(U860).pdf | |
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![]() | AVL11L03300 | AVL11L03300 Amotech NVT0603S160Q270TRF | AVL11L03300.pdf | |
![]() | ES2839S-TM | ES2839S-TM ESS QFP | ES2839S-TM.pdf | |
![]() | WL1V826M6L011BB180 | WL1V826M6L011BB180 SAMWHA SMD or Through Hole | WL1V826M6L011BB180.pdf |