창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-EDD5116AFBG-6B-E DDR_32M*16BIT=512M_S259 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | EDD5116AFBG-6B-E DDR_32M*16BIT=512M_S259 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | FBGA-60 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | EDD5116AFBG-6B-E DDR_32M*16BIT=512M_S259 | |
관련 링크 | EDD5116AFBG-6B-E DDR_32M, EDD5116AFBG-6B-E DDR_32M*16BIT=512M_S259 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | UVR2D3R3MEA | 3.3µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UVR2D3R3MEA.pdf | |
![]() | C0510X5R0J105M030AC | 1µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0204(0510 미터법) 0.020" L x 0.039" W(0.50mm x 1.00mm) | C0510X5R0J105M030AC.pdf | |
![]() | VJ1808Y333JXPAT5Z | 0.033µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | VJ1808Y333JXPAT5Z.pdf | |
![]() | 416F40623AAR | 40.61MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40623AAR.pdf | |
![]() | 5002N | 5002N ON SOT-223 | 5002N.pdf | |
![]() | AIT1106KLC | AIT1106KLC AITEEH QFP | AIT1106KLC.pdf | |
![]() | UPD65802GC-231-7EA | UPD65802GC-231-7EA NEC QFP | UPD65802GC-231-7EA.pdf | |
![]() | ADG715BRUZREEL7 | ADG715BRUZREEL7 AD SMD or Through Hole | ADG715BRUZREEL7.pdf | |
![]() | XC2VP50-6FF1152I | XC2VP50-6FF1152I XILINX SMD or Through Hole | XC2VP50-6FF1152I.pdf | |
![]() | D4216160G5/LG5-70/A70-7JF | D4216160G5/LG5-70/A70-7JF MEMORY SMD | D4216160G5/LG5-70/A70-7JF.pdf | |
![]() | THCR50E1H225ZT | THCR50E1H225ZT NIPPON SMD | THCR50E1H225ZT.pdf | |
![]() | KA3509F | KA3509F SAMSUNG SOP | KA3509F.pdf |