창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DZ2S047M0L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DZ2S047 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Zener Diodes | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 10mA | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SSMini2-F5-B | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DZ2S047M0L-ND DZ2S047M0LTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DZ2S047M0L | |
| 관련 링크 | DZ2S04, DZ2S047M0L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | TS147F11CET | 14.7456MHz ±10ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS147F11CET.pdf | |
![]() | ISC1210EBR12M | 120nH Shielded Wirewound Inductor 630mA 200 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210EBR12M.pdf | |
![]() | ERJ-S1TF7502U | RES SMD 75K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF7502U.pdf | |
![]() | RCP2512W430RJTP | RES SMD 430 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W430RJTP.pdf | |
![]() | MSF4800S-30-1000-30-1200-10X-1 | SAFETY LIGHT CURTAIN | MSF4800S-30-1000-30-1200-10X-1.pdf | |
![]() | C945P /A733P/Q | C945P /A733P/Q ORIGINAL SMD or Through Hole | C945P /A733P/Q.pdf | |
![]() | TZA3034T/C2 | TZA3034T/C2 ORIGINAL SMD or Through Hole | TZA3034T/C2.pdf | |
![]() | K4S511632H-TC75 | K4S511632H-TC75 SAMSUNG TSOP | K4S511632H-TC75.pdf | |
![]() | M36WOT5040B1ZAQ | M36WOT5040B1ZAQ ST BGA | M36WOT5040B1ZAQ.pdf | |
![]() | FDV301V | FDV301V FAI SOT-23 | FDV301V.pdf | |
![]() | SPT135-1R2L | SPT135-1R2L DELTA SMD or Through Hole | SPT135-1R2L.pdf | |
![]() | KS74AHCT148N | KS74AHCT148N N/A DIP-16 | KS74AHCT148N.pdf |