창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DZ23C3V3-G3-18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DZ23-G Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 공통 음극 1쌍 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DZ23C3V3-G3-18 | |
관련 링크 | DZ23C3V3, DZ23C3V3-G3-18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ATS260ASM-1E | 26MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS260ASM-1E.pdf | |
![]() | 2N4338 | MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA | 2N4338.pdf | |
![]() | RT0402BRE0726R7L | RES SMD 26.7 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE0726R7L.pdf | |
![]() | CMF553R3200FKEK | RES 3.32 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF553R3200FKEK.pdf | |
![]() | DF2L157V16030 | DF2L157V16030 SAMW DIP2 | DF2L157V16030.pdf | |
![]() | DSI45-16 | DSI45-16 IXYS TO-247 | DSI45-16.pdf | |
![]() | CAP106FKEM25 | CAP106FKEM25 ANGLIA SMD or Through Hole | CAP106FKEM25.pdf | |
![]() | BYW90-200R | BYW90-200R ON/ST/NXP TO-220 | BYW90-200R.pdf | |
![]() | BUV50D | BUV50D ST TO-3P | BUV50D.pdf | |
![]() | FR1BF | FR1BF PANJIT SMBF | FR1BF.pdf | |
![]() | SC1H227M10010VR259 | SC1H227M10010VR259 SAMWHA Call | SC1H227M10010VR259.pdf |