창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DWM2F100N040 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | DWM2F100N040 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT-227 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | DWM2F100N040 | |
| 관련 링크 | DWM2F10, DWM2F100N040 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | SEK331M160ST | 330µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 600 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | SEK331M160ST.pdf | |
![]() | T95D477M6R3CZAS | 470µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 130 mOhm 0.293" L x 0.170" W (7.44mm x 4.32mm) | T95D477M6R3CZAS.pdf | |
![]() | SIT1602AIF3-28S | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.5mA Standby | SIT1602AIF3-28S.pdf | |
![]() | ISC1210BN3R3J | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 270mA 1.1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210BN3R3J.pdf | |
![]() | EVM3ESX50B54 3*3 50K | EVM3ESX50B54 3*3 50K ORIGINAL SMD or Through Hole | EVM3ESX50B54 3*3 50K.pdf | |
![]() | P4、P5、P6、P7.62、P8、P10、P12.5、P16 | P4、P5、P6、P7.62、P8、P10、P12.5、P16 ORIGINAL SMD or Through Hole | P4、P5、P6、P7.62、P8、P10、P12.5、P16.pdf | |
![]() | ECWH8563JTB | ECWH8563JTB PAN CAP | ECWH8563JTB.pdf | |
![]() | CAT8900A250TBIT3 NOPB | CAT8900A250TBIT3 NOPB ON SOT23 | CAT8900A250TBIT3 NOPB.pdf | |
![]() | SH3-3D2 | SH3-3D2 STON SMD or Through Hole | SH3-3D2.pdf | |
![]() | YMU783B-W | YMU783B-W ORIGINAL BGA | YMU783B-W.pdf | |
![]() | 3SK196XI | 3SK196XI HITACHI SOT-143 | 3SK196XI.pdf | |
![]() | URT1C221MNH | URT1C221MNH NICHICON DIP | URT1C221MNH.pdf |