Rohm Semiconductor DTDG14GPT100
- 제조업체 부품 번호
- DTDG14GPT100
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
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DTDG14GPT100 가격 및 조달
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11550 조각
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창고: HONGKONG
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 176.28399
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DTDG14GPT100 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DTDG14GPT100 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DTDG14GP | |
| 카탈로그 페이지 | 1635 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | - | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 300 @ 500mA, 2V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 500mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 80MHz | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | MPT3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | DTDG14GPT100TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DTDG14GPT100 | |
| 관련 링크 | DTDG14G, DTDG14GPT100 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
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