창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DTC123JM3T5G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN2235, MUN5235, DTC123Jxx, NSBC123JF3 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 19/May/2010 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 260mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-723 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-723 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | DTC123JM3T5G-ND DTC123JM3T5GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DTC123JM3T5G | |
| 관련 링크 | DTC123J, DTC123JM3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D9R1DXBAJ | 9.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D9R1DXBAJ.pdf | |
![]() | FESF16CT-E3/45 | DIODE GEN PURP 150V 16A ITO220AC | FESF16CT-E3/45.pdf | |
![]() | RCL1225910KJNEG | RES SMD 910K OHM 2W 2512 WIDE | RCL1225910KJNEG.pdf | |
![]() | RP73D1J12K4BTG | RES SMD 12.4KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RP73D1J12K4BTG.pdf | |
![]() | YC248-FR-0722RL | RES ARRAY 8 RES 22 OHM 1606 | YC248-FR-0722RL.pdf | |
![]() | PS1001G | PS1001G PHISON/WINBOND SMD or Through Hole | PS1001G.pdf | |
![]() | 17263302ESN | 17263302ESN MICROCHIP SOP8 | 17263302ESN.pdf | |
![]() | R1210N252C-TR-F | R1210N252C-TR-F RICOH SOT23-5 | R1210N252C-TR-F.pdf | |
![]() | 5211-CMOS | 5211-CMOS FOXCONN SMD or Through Hole | 5211-CMOS.pdf | |
![]() | ZD3200 | ZD3200 ZYWYN SOT23-6 | ZD3200.pdf | |
![]() | M72-M | M72-M ORIGINAL BGA | M72-M.pdf | |
![]() | 2SD12 5H | 2SD12 5H ORIGINAL TO-3 | 2SD12 5H.pdf |