홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » DTA115TM3T5G

ON Semiconductor DTA115TM3T5G

DTA115TM3T5G
제조업체 부품 번호
DTA115TM3T5G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 0.26W SOT723
데이터 시트 다운로드
다운로드
DTA115TM3T5G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 46.20844
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DTA115TM3T5G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. DTA115TM3T5G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DTA115TM3T5G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DTA115TM3T5G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DTA115TM3T5G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DTA115TM3T5G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUN2141, MUN5141, DTA115T, NSBA115TF3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)100k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대260mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-723
공급 장치 패키지SOT-723
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DTA115TM3T5G
관련 링크DTA115T, DTA115TM3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
DTA115TM3T5G 의 관련 제품
30MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F30033CSR.pdf
RES SMD 130 OHM 0.5% 1/4W 0603 ERJ-PA3D1300V.pdf
RES SMD 24.9 OHM 0.5% 1/10W 0603 RT0603DRD0724R9L.pdf
RES SMD 60.4 OHM 0.5% 1W 1206 HRG3216P-60R4-D-T1.pdf
0603 274 M 25V ORIGINAL SMD or Through Hole 0603 274 M 25V.pdf
NFE31PT222Z1E9K MURATA SMD NFE31PT222Z1E9K.pdf
TEA820M SGS SMD or Through Hole TEA820M.pdf
T498D686M016ZTE600 ORIGINAL SMD or Through Hole T498D686M016ZTE600.pdf
P80C552IFA/08.512 NXP SMD or Through Hole P80C552IFA/08.512.pdf
DMS167HL PHI QFP DMS167HL.pdf
KN4L4Z NEC SOT-523 KN4L4Z.pdf