창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC1121DI2-027.0000 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC1101,1121 Datasheet DSC1,8yyy Top Marking Spec | |
| 애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC1121 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 27MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 35mA | |
| 등급 | AEC-Q100 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 22mA | |
| 표준 포장 | 140 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC1121DI2-027.0000 | |
| 관련 링크 | DSC1121DI2-, DSC1121DI2-027.0000 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | LP061F33IDT | 6.144MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP061F33IDT.pdf | |
![]() | VI-J2W-IX | VI-J2W-IX VICOR SMD or Through Hole | VI-J2W-IX.pdf | |
![]() | K4H561638H-UCB3T00 | K4H561638H-UCB3T00 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4H561638H-UCB3T00.pdf | |
![]() | MAX153CAP+T | MAX153CAP+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX153CAP+T.pdf | |
![]() | UPD17072GB-573 | UPD17072GB-573 NEC QFP | UPD17072GB-573.pdf | |
![]() | 74SSTV16857 | 74SSTV16857 PHI TSSOP48 | 74SSTV16857.pdf | |
![]() | K4T51043QG-HCCC | K4T51043QG-HCCC Samsung 60FBGA | K4T51043QG-HCCC.pdf | |
![]() | HA496 | HA496 ORIGINAL QFN-12P | HA496.pdf | |
![]() | AA6651 | AA6651 ORIGINAL SMD or Through Hole | AA6651.pdf | |
![]() | A034S830 | A034S830 MITOGRAPHERSINC SMD or Through Hole | A034S830.pdf | |
![]() | M29F800DB | M29F800DB ST TSSOP-48 | M29F800DB.pdf | |
![]() | XL2576T-12E1 | XL2576T-12E1 XL TO-220-5 | XL2576T-12E1.pdf |