창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC1121DI2-022.5792T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC1101,1121 Datasheet DSC1,8yyy Top Marking Spec | |
| 애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC1121 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 22.5792MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 35mA | |
| 등급 | AEC-Q100 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 22mA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC1121DI2-022.5792T | |
| 관련 링크 | DSC1121DI2-0, DSC1121DI2-022.5792T 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | D270G25U2JL65J5R | 27pF 500V 세라믹 커패시터 U2J 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | D270G25U2JL65J5R.pdf | |
![]() | EMIF08-1502M16 | RC (Pi) EMI Filter 2nd Order Low Pass 8 Channel R = 170 Ohms, C = 14pF (Total) 10mA 16-UFDFN Exposed Pad | EMIF08-1502M16.pdf | |
![]() | AF122-FR-07887KL | RES ARRAY 2 RES 887K OHM 0404 | AF122-FR-07887KL.pdf | |
![]() | 43J120 | RES 120 OHM 3W 5% AXIAL | 43J120.pdf | |
![]() | IDT7006-J | IDT7006-J IDT SMD or Through Hole | IDT7006-J.pdf | |
![]() | IS61C1024-25JI | IS61C1024-25JI ISSI SOJ32 | IS61C1024-25JI.pdf | |
![]() | ISSI93C56-3GR | ISSI93C56-3GR ISSI SOP8 | ISSI93C56-3GR.pdf | |
![]() | MPC8572EVTAVND | MPC8572EVTAVND MOTOROLA BGA | MPC8572EVTAVND.pdf | |
![]() | RM4805DE/883 | RM4805DE/883 RAYTHEON DIP | RM4805DE/883.pdf | |
![]() | A3B-44PA-2DS(71) | A3B-44PA-2DS(71) HIROSE SMD or Through Hole | A3B-44PA-2DS(71).pdf | |
![]() | S3 graphics Inc | S3 graphics Inc NA BGA | S3 graphics Inc.pdf | |
![]() | OP220H | OP220H PMI/AD CAN | OP220H.pdf |