창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC1103AI2-130.0000 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC1103,23 Datasheet DSC1,8yyy Top Marking Spec | |
| 애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC1103 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 130MHz | |
| 기능 | 대기(절전) | |
| 출력 | LVDS | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 32mA | |
| 등급 | AEC-Q100 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 리드 없음, 노출형 패드 | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 95µA | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC1103AI2-130.0000 | |
| 관련 링크 | DSC1103AI2-, DSC1103AI2-130.0000 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | ASG-C-V-A-200.000MHZ-T | 200MHz LVCMOS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 45mA Enable/Disable | ASG-C-V-A-200.000MHZ-T.pdf | |
![]() | IPD30N03S4L-09 | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | IPD30N03S4L-09.pdf | |
![]() | Z8002A-8DC | Z8002A-8DC AMD CDIP40 | Z8002A-8DC.pdf | |
![]() | CAT1162J-42TE | CAT1162J-42TE CATALYST SOP-8 | CAT1162J-42TE.pdf | |
![]() | 2218258 | 2218258 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2218258.pdf | |
![]() | 2AF2RH | 2AF2RH ORIGINAL NEW | 2AF2RH.pdf | |
![]() | RVG4H01-201VM-TE | RVG4H01-201VM-TE Murata Trimmer-Potentiomete | RVG4H01-201VM-TE.pdf | |
![]() | PDI1394L40BE.518 | PDI1394L40BE.518 NXP SMD or Through Hole | PDI1394L40BE.518.pdf | |
![]() | LH52B256-7LL | LH52B256-7LL SHARP DIP28 | LH52B256-7LL.pdf | |
![]() | SU100-110S05-EB | SU100-110S05-EB GANMA DIP | SU100-110S05-EB.pdf | |
![]() | JPS1120-1301F | JPS1120-1301F Hosiden SMD or Through Hole | JPS1120-1301F.pdf | |
![]() | GQM2195C2AR50CB0 | GQM2195C2AR50CB0 MURATA O805 | GQM2195C2AR50CB0.pdf |