창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DSC1001AE2-032.7680 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DSC1001 | |
애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | DSC1001 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
주파수 | 32.768MHz | |
기능 | 대기(절전) | |
출력 | CMOS | |
전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.3 V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
전류 - 공급(최대) | 7.2mA | |
등급 | AEC-Q100 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.035"(0.90mm) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 노출형 패드(리드 없음) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 15µA | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DSC1001AE2-032.7680 | |
관련 링크 | DSC1001AE2-, DSC1001AE2-032.7680 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
![]() | CGA4F3NP02E332J085AA | 3300pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4F3NP02E332J085AA.pdf | |
![]() | VJ1206A2R2CXACW1BC | 2.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | VJ1206A2R2CXACW1BC.pdf | |
![]() | BZT55B2V4-GS18 | DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD80 | BZT55B2V4-GS18.pdf | |
![]() | LT3009EDC-3.3 | LT3009EDC-3.3 LT QFN | LT3009EDC-3.3.pdf | |
![]() | XCS30XL-PQ208 | XCS30XL-PQ208 XILINX QFP | XCS30XL-PQ208.pdf | |
![]() | IDT71024SI2TYG | IDT71024SI2TYG IDT SOJ-32 | IDT71024SI2TYG.pdf | |
![]() | TLC7135CDWG4 | TLC7135CDWG4 TI SOP28 | TLC7135CDWG4.pdf | |
![]() | LWE67C-V1-6L | LWE67C-V1-6L OSRAM SMD or Through Hole | LWE67C-V1-6L.pdf | |
![]() | SBR30A150CT-DI | SBR30A150CT-DI DIODES SMD or Through Hole | SBR30A150CT-DI.pdf | |
![]() | MV16VC470MH10 | MV16VC470MH10 ORIGINAL SMD or Through Hole | MV16VC470MH10.pdf | |
![]() | 85201-2005N | 85201-2005N ACES SMD or Through Hole | 85201-2005N.pdf | |
![]() | EE-5.6W09-081 | EE-5.6W09-081 ORIGINAL SMD or Through Hole | EE-5.6W09-081.pdf |