창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSB5820 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5822, DSB5820x, DSB3Ax0 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 500mV @ 3A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 125°C | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSB5820 | |
| 관련 링크 | DSB5, DSB5820 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D510JLAAP | 51pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D510JLAAP.pdf | |
![]() | PESD5V0V2BMYL | TVS DIODE 5VWM 12.5VC XQFN3 | PESD5V0V2BMYL.pdf | |
![]() | VB20120C-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB | VB20120C-M3/4W.pdf | |
![]() | B158H7345XX7600 | B158H7345XX7600 INF Call | B158H7345XX7600.pdf | |
![]() | IS43R32200A | IS43R32200A ORIGINAL BGA(144) | IS43R32200A.pdf | |
![]() | ADP3309ART-REEL7 | ADP3309ART-REEL7 AD SMD or Through Hole | ADP3309ART-REEL7.pdf | |
![]() | DP83846AVHG/HALF | DP83846AVHG/HALF NSC Call | DP83846AVHG/HALF.pdf | |
![]() | VT356FCX-ADJ | VT356FCX-ADJ ORIGINAL BGA | VT356FCX-ADJ.pdf | |
![]() | RWE450LG152M50X115LL | RWE450LG152M50X115LL NIPPON SMD or Through Hole | RWE450LG152M50X115LL.pdf | |
![]() | PBD-50-M-04 | PBD-50-M-04 Raychem SMD or Through Hole | PBD-50-M-04.pdf | |
![]() | QH8-0202-04 | QH8-0202-04 SHALP DIP-42 | QH8-0202-04.pdf | |
![]() | CL31C100CBCANNC | CL31C100CBCANNC SAMSUNG SMD | CL31C100CBCANNC.pdf |