창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DS1230AB120 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | DS1230AB120 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | DS1230AB120 | |
| 관련 링크 | DS1230, DS1230AB120 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | TNPW201093K1BETF | RES SMD 93.1K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201093K1BETF.pdf | |
![]() | CMF7053R600BER6 | RES 53.6 OHM 1.75W 0.1% AXIAL | CMF7053R600BER6.pdf | |
![]() | TCM129C13N | TCM129C13N TI DIP20 | TCM129C13N.pdf | |
![]() | EMV-350ADA470MH63G | EMV-350ADA470MH63G NIPPON SMD | EMV-350ADA470MH63G.pdf | |
![]() | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI Samsung SMD or Through Hole | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI.pdf | |
![]() | 161-CMQ 030 | 161-CMQ 030 IR SMD or Through Hole | 161-CMQ 030.pdf | |
![]() | MAX5120EEE | MAX5120EEE MAX SOP | MAX5120EEE.pdf | |
![]() | EFCH942MTDA | EFCH942MTDA SMD QFN | EFCH942MTDA.pdf | |
![]() | C08BLBB1X5UXT | C08BLBB1X5UXT DLI 2008 | C08BLBB1X5UXT.pdf | |
![]() | DR-120-12 | DR-120-12 MEANWELL SMD or Through Hole | DR-120-12.pdf | |
![]() | 250BXC4.7MEFC 8X11.5 | 250BXC4.7MEFC 8X11.5 RUBYCON SMD or Through Hole | 250BXC4.7MEFC 8X11.5.pdf | |
![]() | HY5DU283222BFP-4 C | HY5DU283222BFP-4 C HYNIX BGA | HY5DU283222BFP-4 C.pdf |