창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DRV421RTJT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DRV421 Datasheet | |
| 제조업체 제품 페이지 | DRV421RTJT Specifications | |
| 종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
| 제품군 | 전류 트랜스듀서 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 측정용 | AC/DC | |
| 센서 유형 | 플럭스 게이트, 폐쇄 루프 | |
| 전류 - 감지 | - | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 출력 | 비례, 전압 | |
| 감도 | - | |
| 주파수 | - | |
| 선형성 | ±0.3% | |
| 정확도 | ±0.02% | |
| 전압 - 공급 | 3 V ~ 5.5 V | |
| 응답 시간 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 분극 | 양방향 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 20-WFQFN 노출형 패드 | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-43158-2 DRV421RTJT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DRV421RTJT | |
| 관련 링크 | DRV421, DRV421RTJT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
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![]() | RG2012N-1372-B-T5 | RES SMD 13.7K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-1372-B-T5.pdf | |
![]() | K04031BI | K04031BI NS LLP48 | K04031BI.pdf | |
![]() | W27E010-90B | W27E010-90B WINBOND DIP | W27E010-90B.pdf | |
![]() | M5M28F101 | M5M28F101 MIT TSOP32 | M5M28F101.pdf | |
![]() | B57321V2152J060 | B57321V2152J060 EPCOS SMD or Through Hole | B57321V2152J060.pdf | |
![]() | BZX384-C36/D6 | BZX384-C36/D6 GENERALSEMICONDUCTOR ORIGINAL | BZX384-C36/D6.pdf | |
![]() | NOP6051 | NOP6051 ORIGINAL TO220 | NOP6051.pdf | |
![]() | LQH3NPN100MM0K | LQH3NPN100MM0K muRata 1212 | LQH3NPN100MM0K.pdf | |
![]() | SKM100GAL125D | SKM100GAL125D SEMIKRON SMD or Through Hole | SKM100GAL125D.pdf |