창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DRA5144E0L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DRA5144E View All Specifications | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-85 | |
| 공급 장치 패키지 | SMini3-F2-B | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DRA5144E0L-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DRA5144E0L | |
| 관련 링크 | DRA514, DRA5144E0L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | PDZ9.1B.115 | PDZ9.1B.115 PHA SMD or Through Hole | PDZ9.1B.115.pdf | |
![]() | LM239AN/N | LM239AN/N ST DIP-14 | LM239AN/N.pdf | |
![]() | IU2403DA | IU2403DA XP DIP | IU2403DA.pdf | |
![]() | 2DU2B | 2DU2B ZYGD SMD or Through Hole | 2DU2B.pdf | |
![]() | MBM27C4000-12Z-G | MBM27C4000-12Z-G FUJ DIP | MBM27C4000-12Z-G.pdf | |
![]() | IM0165 | IM0165 SEC TO-220F -4P | IM0165.pdf | |
![]() | 1000 UF | 1000 UF NIL SMD or Through Hole | 1000 UF.pdf | |
![]() | X0612A | X0612A ST TSSOP-14P | X0612A.pdf | |
![]() | B377930-K5060-C860 | B377930-K5060-C860 EPCOS SMD or Through Hole | B377930-K5060-C860.pdf | |
![]() | KTC855D | KTC855D KEC TO-92 | KTC855D.pdf | |
![]() | GQZJ5.1B | GQZJ5.1B ORIGINAL QUADRO-MELF | GQZJ5.1B.pdf | |
![]() | TEMSVA1A685M8R | TEMSVA1A685M8R NEC A | TEMSVA1A685M8R.pdf |