창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DRA2543E0L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DRC2543E View All Specifications | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 4.7k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | 미니3-G3-B | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DRA2543E0L-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DRA2543E0L | |
| 관련 링크 | DRA254, DRA2543E0L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
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![]() | NLV32T-5R6J-PF | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.6 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-5R6J-PF.pdf | |
![]() | RCL06121R87FKEA | RES SMD 1.87 OHM 1/2W 1206 WIDE | RCL06121R87FKEA.pdf | |
![]() | TC54VN5102ECB | TC54VN5102ECB TELCOM SMD or Through Hole | TC54VN5102ECB.pdf | |
![]() | SN30101R5YLB | SN30101R5YLB ABC SMD or Through Hole | SN30101R5YLB.pdf | |
![]() | LP3470M5-2.63-NOPB | LP3470M5-2.63-NOPB NS SMD or Through Hole | LP3470M5-2.63-NOPB.pdf | |
![]() | DM141N-RSS2 | DM141N-RSS2 SITI SMD or Through Hole | DM141N-RSS2.pdf | |
![]() | 7-1393127-9 | 7-1393127-9 TYCO SMD or Through Hole | 7-1393127-9.pdf | |
![]() | VI-BWZ-IV | VI-BWZ-IV ORIGINAL MODULE | VI-BWZ-IV.pdf | |
![]() | UPR1A102MPH | UPR1A102MPH NICHICON SMD or Through Hole | UPR1A102MPH.pdf |