창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DRA2143X0L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DRA2143X View All Specifications | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | 미니3-G3-B | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DRA2143X0L-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DRA2143X0L | |
| 관련 링크 | DRA214, DRA2143X0L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | SIT2001BI-S2-33N-6.000000E | OSC XO 3.3V 6MHZ NC 8 MM | SIT2001BI-S2-33N-6.000000E.pdf | |
![]() | SKHHQYA010 | SKHHQYA010 ALPS ALPS | SKHHQYA010.pdf | |
![]() | 703039GM | 703039GM NEC TQFP | 703039GM.pdf | |
![]() | CSU1100B | CSU1100B IR DICE-46 | CSU1100B.pdf | |
![]() | VT125 | VT125 VITESSE QFN14 | VT125.pdf | |
![]() | 3306-14P | 3306-14P M SMD or Through Hole | 3306-14P.pdf | |
![]() | U93/76/30-3C90 | U93/76/30-3C90 FERROX SMD or Through Hole | U93/76/30-3C90.pdf | |
![]() | MN88446-EF | MN88446-EF PANASONI BGAPB | MN88446-EF.pdf | |
![]() | MLF3216E6R8KT000 | MLF3216E6R8KT000 TDK SMD or Through Hole | MLF3216E6R8KT000.pdf | |
![]() | BKM2882-B-02-FP | BKM2882-B-02-FP ASOC SMD or Through Hole | BKM2882-B-02-FP.pdf | |
![]() | K9F5608UOB-JIBO | K9F5608UOB-JIBO SAMSUNG FBGA | K9F5608UOB-JIBO.pdf | |
![]() | IN80C452 | IN80C452 ORIGINAL SMD | IN80C452.pdf |