창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DRA2115E0L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DRA2115E View All Specifications | |
주요제품 | Wearables Technology Components | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 100k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 100k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 200mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | 미니3-G3-B | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DRA2115E0L-ND DRA2115E0LTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DRA2115E0L | |
관련 링크 | DRA211, DRA2115E0L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
600S6R8JT250XT | 6.8pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 600S6R8JT250XT.pdf | ||
LQG15HS15NJ02D | 15nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 320 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQG15HS15NJ02D.pdf | ||
CR1206-JW-684GLF | RES SMD 680K OHM 5% 1/4W 1206 | CR1206-JW-684GLF.pdf | ||
CRCW12185R10JNEK | RES SMD 5.1 OHM 5% 1W 1218 | CRCW12185R10JNEK.pdf | ||
685250039 | 685250039 Molex SMD or Through Hole | 685250039.pdf | ||
TDA10085HT/ | TDA10085HT/ NXP TQFP-64P | TDA10085HT/.pdf | ||
BFQ67T | BFQ67T PHILIPS SOD-523 | BFQ67T.pdf | ||
1812L050PRT(0.5A15V) | 1812L050PRT(0.5A15V) TWIN SMD or Through Hole | 1812L050PRT(0.5A15V).pdf | ||
66429-181 | 66429-181 ORIGINAL SMD or Through Hole | 66429-181.pdf | ||
3.3nH0.3n | 3.3nH0.3n LQGHNNSK SMD or Through Hole | 3.3nH0.3n.pdf | ||
MCR310008 | MCR310008 MOTOROLA SMD or Through Hole | MCR310008.pdf |