창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DRA127-820-R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DRA Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Eaton | |
| 계열 | DRA | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 권선 | |
| 소재 - 코어 | - | |
| 유도 용량 | 82µH | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전류 | 2.008A | |
| 전류 - 포화 | 3.84A | |
| 차폐 | 차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 155m옴 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | - | |
| 등급 | AEC-Q200 | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 165°C | |
| 주파수 - 테스트 | 100kHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 비표준 | |
| 크기/치수 | 0.492" L x 0.492" W(12.50mm x 12.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.315"(8.00mm) | |
| 표준 포장 | 350 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DRA127-820-R | |
| 관련 링크 | DRA127-, DRA127-820-R 데이터 시트, Eaton 에이전트 유통 | |
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![]() | SA85A | TVS DIODE 85VWM 137VC DO204AC | SA85A.pdf | |
![]() | LP080F35CDT | 80MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP080F35CDT.pdf | |
![]() | 2276146 | PACT MCR-V2-5012- 85- 300-5A-1 | 2276146.pdf | |
![]() | MT9JSF12872AZ-1G4F1 | MT9JSF12872AZ-1G4F1 MICRON SMD or Through Hole | MT9JSF12872AZ-1G4F1.pdf | |
![]() | XC3130A-4VQ64I | XC3130A-4VQ64I XILINX QFP64 | XC3130A-4VQ64I.pdf | |
![]() | B43503S0337M4 | B43503S0337M4 EPCOS SMD or Through Hole | B43503S0337M4.pdf | |
![]() | 28118 | 28118 ORIGINAL QFN | 28118.pdf | |
![]() | P13USB14LEX | P13USB14LEX MICROCHIP TSSOP | P13USB14LEX.pdf | |
![]() | nRF24LE1F16Q48-R | nRF24LE1F16Q48-R NORDIC QFN48 | nRF24LE1F16Q48-R.pdf | |
![]() | M-TADMST622-3BAL-DB | M-TADMST622-3BAL-DB AGERE SMD or Through Hole | M-TADMST622-3BAL-DB.pdf |