창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DP4RSC60D60B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DP Series DataSheet DP Series Brochure DP Series Install Sheet DP Series 40-60Amp Drawing | |
제품 교육 모듈 | Solid State Relays | |
3D 모델 | DP Series 40-60A.stp DP Series 40-60A.sat DP Series 40-60A.dwg | |
종류 | 계전기 | |
제품군 | 무접점 계전기 | |
제조업체 | Crydom Co. | |
계열 | DP | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | * | |
회로 | SPST-NO(A형 1개) | |
출력 유형 | DC | |
온스테이트 저항(최대) | 5m옴 | |
부하 전류 | 60A | |
전압 - 입력 | 4.5 ~ 15VDC | |
전압 - 부하 | 1 ~ 48 V | |
실장 유형 | 섀시 장착 또는 패널 실장 | |
종단 유형 | 스크루 단자 | |
패키지/케이스 | 하키 퍽 | |
공급 장치 패키지 | - | |
계전기 유형 | 접촉기 | |
표준 포장 | 5 | |
다른 이름 | CC1850 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DP4RSC60D60B | |
관련 링크 | DP4RSC6, DP4RSC60D60B 데이터 시트, Crydom Co. 에이전트 유통 |
![]() | CC1210JKX7R9BB224 | 0.22µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CC1210JKX7R9BB224.pdf | |
![]() | VJ1812Y222JBPAT4X | 2200pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y222JBPAT4X.pdf | |
![]() | 416F400X3CKT | 40MHz ±15ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F400X3CKT.pdf | |
![]() | GS1B-LTP | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | GS1B-LTP.pdf | |
![]() | RSF1FT1R91 | RES MO 1W 1.91 OHM 1% AXIAL | RSF1FT1R91.pdf | |
![]() | GBAT54 | GBAT54 GTM SOT23 | GBAT54.pdf | |
![]() | 57C128FB-55DMB | 57C128FB-55DMB WSI DIP | 57C128FB-55DMB.pdf | |
![]() | 44GR1KLF | 44GR1KLF BI SMD | 44GR1KLF.pdf | |
![]() | APM2512NU | APM2512NU ANPEC TO-252 | APM2512NU .pdf | |
![]() | M378T6553EZ3-CE6 (DDR2 512M/667 Long-DIM | M378T6553EZ3-CE6 (DDR2 512M/667 Long-DIM Samsung SMD or Through Hole | M378T6553EZ3-CE6 (DDR2 512M/667 Long-DIM.pdf | |
![]() | 3188GF332T450APA1 | 3188GF332T450APA1 CDE DIP | 3188GF332T450APA1.pdf | |
![]() | MAX303MJE | MAX303MJE MAXIM DIP | MAX303MJE.pdf |