창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DN2540N3-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DN2540 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Revision 07/Apr/2015 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 공핍 모드 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25옴 @ 120mA, 0V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92(TO-226) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DN2540N3-G | |
| 관련 링크 | DN2540, DN2540N3-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | CMF604K5300FHEA | RES 4.53K OHM 1W 1% AXIAL | CMF604K5300FHEA.pdf | |
![]() | ULA501015E6 | ULA501015E6 GPS DIP-28 | ULA501015E6.pdf | |
![]() | LE82Q35 | LE82Q35 ORIGINAL SMD or Through Hole | LE82Q35.pdf | |
![]() | ESC477M050AL3AA | ESC477M050AL3AA ARCOTRNIC DIP | ESC477M050AL3AA.pdf | |
![]() | G2R-124DC | G2R-124DC OMR SMD or Through Hole | G2R-124DC.pdf | |
![]() | P28F512A-150PC/200PC | P28F512A-150PC/200PC INTEL DIP | P28F512A-150PC/200PC.pdf | |
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![]() | MAX2769ETI+T-MAXIM | MAX2769ETI+T-MAXIM ORIGINAL SMD or Through Hole | MAX2769ETI+T-MAXIM.pdf | |
![]() | TS350-06/T16104SCG | TS350-06/T16104SCG ORIGINAL SMD or Through Hole | TS350-06/T16104SCG.pdf |