창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DN2535N3-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DN2535 | |
PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Revision 07/Apr/2015 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 350V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25옴 @ 120mA, 0V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92(TO-226) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DN2535N3-G | |
관련 링크 | DN2535, DN2535N3-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
![]() | ABM3B-30.000MHZ-B2-T | 30MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3B-30.000MHZ-B2-T.pdf | |
HS200 3R3 J | RES CHAS MNT 3.3 OHM 5% 200W | HS200 3R3 J.pdf | ||
![]() | PNP7WVJR-73-56R | RES 56 OHM 7W 5% AXIAL | PNP7WVJR-73-56R.pdf | |
![]() | Y472510K0000B0L | RES 10K OHM 3/4W .1% AXIAL | Y472510K0000B0L.pdf | |
![]() | LTC2636CMS-HZ12#TRPBF | LTC2636CMS-HZ12#TRPBF LT SMD or Through Hole | LTC2636CMS-HZ12#TRPBF.pdf | |
![]() | MC71008DR2G | MC71008DR2G ONS SOP | MC71008DR2G.pdf | |
![]() | P2X41A | P2X41A TI HTSSOP24 | P2X41A.pdf | |
![]() | 2142C | 2142C TI SOP-8 | 2142C.pdf | |
![]() | MC1733/BIAJC-5B | MC1733/BIAJC-5B MOTOROLA CAN10 | MC1733/BIAJC-5B.pdf | |
![]() | TP80C51FB1 | TP80C51FB1 INTEL DIP | TP80C51FB1.pdf | |
![]() | QYL80036 | QYL80036 QYL SMD or Through Hole | QYL80036.pdf |