창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMTH6009LK3-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMTH6009LK3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.2A(Ta), 59A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 13.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1925pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMTH6009LK3-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMTH6009LK3-13 | |
| 관련 링크 | DMTH6009, DMTH6009LK3-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | UMK105CG070DV-F | 7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | UMK105CG070DV-F.pdf | |
![]() | TS13CF33CDT | 13.56MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS13CF33CDT.pdf | |
![]() | CMF55200R00JKEA39 | RES 200 OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF55200R00JKEA39.pdf | |
![]() | P48008 | P48008 ALCATEL PLCC-84 | P48008.pdf | |
![]() | RF13100 | RF13100 ORIGINAL QFN | RF13100.pdf | |
![]() | MIC4685WRTR | MIC4685WRTR MICREL 7-SPAK | MIC4685WRTR.pdf | |
![]() | LDC181G9519B-327 1950M-0603-6P | LDC181G9519B-327 1950M-0603-6P MURATA SMD or Through Hole | LDC181G9519B-327 1950M-0603-6P.pdf | |
![]() | 2-917542-3 | 2-917542-3 TE SMD or Through Hole | 2-917542-3.pdf | |
![]() | AD811ASTZ | AD811ASTZ ORIGINAL Q80 | AD811ASTZ.pdf | |
![]() | 95888W6 | 95888W6 ST SMD | 95888W6.pdf | |
![]() | SIW1722FIG | SIW1722FIG SAMSUNG QFN | SIW1722FIG.pdf | |
![]() | SI5326C-B-GMR | SI5326C-B-GMR Siliconlabs SMD or Through Hole | SI5326C-B-GMR.pdf |