홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » DMTH4004SK3-13

Diodes Incorporated DMTH4004SK3-13

DMTH4004SK3-13
제조업체 부품 번호
DMTH4004SK3-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
데이터 시트 다운로드
다운로드
DMTH4004SK3-13 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 747.24250
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DMTH4004SK3-13 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMTH4004SK3-13 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMTH4004SK3-13가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DMTH4004SK3-13 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMTH4004SK3-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMTH4004SK3-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMTH4004SK3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.2m옴 @ 90A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs68.6nC @ 10V
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4305pF @ 25V
전력 - 최대3.9W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252
표준 포장 2,500
다른 이름DMTH4004SK3-13DITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMTH4004SK3-13
관련 링크DMTH4004, DMTH4004SK3-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DMTH4004SK3-13 의 관련 제품
10000pF 10V 세라믹 커패시터 X5R 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) CL02A103KP2NNNE.pdf
OSC XO 1.8V 5MHZ SD 0.50% SIT9003AC-13-18DD-5.00000T.pdf
ATTL7581AAE Agere SOP16 ATTL7581AAE.pdf
2CL15/002 CHINA SMD or Through Hole 2CL15/002.pdf
LUC613AJ LUC DIP-8 LUC613AJ.pdf
UPD78062GC-A31-8EU NEC QFP UPD78062GC-A31-8EU.pdf
TMS320C15NL-25 TI DIP TMS320C15NL-25.pdf
EC213 IDT TSSOP-10 EC213.pdf
MURF540 SSG TO-220F MURF540.pdf
74HC40103DR NXP SOP-16 74HC40103DR.pdf
XCR3064XL-10VQ XILINX VQFP XCR3064XL-10VQ.pdf
LSR22/25DK-200 NEMCO SMD or Through Hole LSR22/25DK-200.pdf