홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » DMTH10H010LCT

Diodes Incorporated DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT
제조업체 부품 번호
DMTH10H010LCT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET 100V 108A TO220AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
DMTH10H010LCT 가격 및 조달

가능 수량

8580 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 895.75200
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DMTH10H010LCT 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMTH10H010LCT 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMTH10H010LCT가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DMTH10H010LCT 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMTH10H010LCT 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMTH10H010LCT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMTH10H010LCT
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C108A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs9.5m옴 @ 13A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs53.7nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2592pF @ 50V
전력 - 최대166W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름DMTH10H010LCTDI-5
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMTH10H010LCT
관련 링크DMTH10H, DMTH10H010LCT 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DMTH10H010LCT 의 관련 제품
16pF 150V 세라믹 커패시터 A 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) AQ12EA160JAJME.pdf
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 STTH1L06.pdf
RES 39.0 OHM 1/4W 5% AXIAL CFR16J39R.pdf
RES 390 OHM 2.25W 5% AXIAL 92J390.pdf
C3216Y5V1H475ZT000N TDK SMD C3216Y5V1H475ZT000N.pdf
1SMA7.0AT3 ON DO-214AC(SMA) 1SMA7.0AT3.pdf
LFA30-12B 0836B 025 AF-333 MUR SMD or Through Hole LFA30-12B 0836B 025 AF-333.pdf
4M116256M BT SOZ-40 4M116256M.pdf
2-1393250-3 TE SMD or Through Hole 2-1393250-3.pdf
24LC00BT-I MICROCHIP SOT-153 24LC00BT-I.pdf
CPH6424 SANYO SOT163 CPH6424.pdf
KA5506-VP ORIGINAL DIP KA5506-VP.pdf