창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMS3014SSS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMS3014SSS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 10.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2296pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.55W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMS3014SSS-13DITR DMS3014SSS13 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMS3014SSS-13 | |
| 관련 링크 | DMS3014, DMS3014SSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CX2520DB30000D0GEJZ1 | 30MHz ±15ppm 수정 8pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2520DB30000D0GEJZ1.pdf | |
![]() | SIT8920BM-33-33E-30.000T | OSC XO 3.3V 30MHZ OE | SIT8920BM-33-33E-30.000T.pdf | |
![]() | RNF12FTC124R | RES 124 OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTC124R.pdf | |
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![]() | GRM31CR61C106K | GRM31CR61C106K ORIGINAL 1206-106K | GRM31CR61C106K.pdf | |
![]() | SF3J48 | SF3J48 TOSHIBA TO-262 | SF3J48.pdf | |
![]() | C1005C0G1H040DT | C1005C0G1H040DT TDK SMD or Through Hole | C1005C0G1H040DT.pdf | |
![]() | HMC424G16 | HMC424G16 ORIGINAL SMD or Through Hole | HMC424G16.pdf | |
![]() | APL1117R-33VC-TRL | APL1117R-33VC-TRL ANPEC SMD or Through Hole | APL1117R-33VC-TRL.pdf | |
![]() | QSMA-A140-R3YJ1 | QSMA-A140-R3YJ1 AVAGO SMD | QSMA-A140-R3YJ1.pdf | |
![]() | CC3864F | CC3864F S CDIP14 | CC3864F.pdf |