홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » DMS3014SSS-13

Diodes Incorporated DMS3014SSS-13

DMS3014SSS-13
제조업체 부품 번호
DMS3014SSS-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
데이터 시트 다운로드
다운로드
DMS3014SSS-13 가격 및 조달

가능 수량

11050 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 155.67552
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DMS3014SSS-13 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMS3014SSS-13 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMS3014SSS-13가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DMS3014SSS-13 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMS3014SSS-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMS3014SSS-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMS3014SSS
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C10.4A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs13m옴 @ 10.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs45.7nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2296pF @ 15V
전력 - 최대1.55W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름DMS3014SSS-13DITR
DMS3014SSS13
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMS3014SSS-13
관련 링크DMS3014, DMS3014SSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DMS3014SSS-13 의 관련 제품
500pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) 08055C501KAT2A.pdf
General Purpose Relay DPST (2 Form A) 9VDC Coil Through Hole HEV2AN-P-DC9V.pdf
RES SMD 7.87K OHM 0.5% 1/8W 0805 RT0805DRD077K87L.pdf
RES SMD 1.15K OHM 0.1% 1/4W 1206 RG3216P-1151-B-T1.pdf
1N3623 ORIGINAL STUD 1N3623.pdf
3015-101 TW SMD or Through Hole 3015-101.pdf
BD=ch ORIGINAL CCXH BD=ch.pdf
D76F0051AVGC NEC SMD or Through Hole D76F0051AVGC.pdf
SL360CB GPS CAN8 SL360CB.pdf
LM9061CN NS DIP8 LM9061CN.pdf
TC74VCX00FT(EL) TOSHIBA SMD or Through Hole TC74VCX00FT(EL).pdf
3061055 MOLEX SMD or Through Hole 3061055.pdf