창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMS3012SFG-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMS3012SFG | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 13.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4310pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 890mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | DMS3012SFG-7DITR DMS3012SFG7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMS3012SFG-7 | |
| 관련 링크 | DMS3012, DMS3012SFG-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C1E1R3BZ01D | 1.3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E1R3BZ01D.pdf | |
![]() | 445I35G24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35G24M57600.pdf | |
![]() | RL1218JK-070R75L | RES SMD 0.75 OHM 1W 1812 WIDE | RL1218JK-070R75L.pdf | |
![]() | CPR03110R0KE31 | RES 110 OHM 3W 10% RADIAL | CPR03110R0KE31.pdf | |
![]() | DE-S942D-A6 | DE-S942D-A6 DEREE SMD or Through Hole | DE-S942D-A6.pdf | |
![]() | TL431 2% | TL431 2% HTC SMD or Through Hole | TL431 2%.pdf | |
![]() | SED1526F0A | SED1526F0A EPSON QFP | SED1526F0A.pdf | |
![]() | DN6851A-D | DN6851A-D PANASONIC SMD or Through Hole | DN6851A-D.pdf | |
![]() | L29GH22 | L29GH22 SHARP BGA | L29GH22.pdf | |
![]() | XC4VLX100-FF1148 | XC4VLX100-FF1148 XILINX BGA | XC4VLX100-FF1148.pdf | |
![]() | SCR03 121 JP | SCR03 121 JP EverOhms SMD or Through Hole | SCR03 121 JP.pdf |