창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMPH6050SK3Q-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMPH6050SK3Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.2A(Ta), 23.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1377pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 1.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMPH6050SK3Q-13DI | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMPH6050SK3Q-13 | |
| 관련 링크 | DMPH6050S, DMPH6050SK3Q-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | LT1640LT | LT1640LT LT SOP-8 | LT1640LT.pdf | |
![]() | SMCJ270A | SMCJ270A VISHAY DO-214AB | SMCJ270A.pdf | |
![]() | U9038D | U9038D TFK DIP14 | U9038D.pdf | |
![]() | MAX3386EIPWR | MAX3386EIPWR TI TSSOP20 | MAX3386EIPWR.pdf | |
![]() | SIM5320A-EVBKIT | SIM5320A-EVBKIT SIMCOM SMD or Through Hole | SIM5320A-EVBKIT.pdf | |
![]() | 3AD35B | 3AD35B CHINA SMD or Through Hole | 3AD35B.pdf | |
![]() | 0603CS-3N6XJBC | 0603CS-3N6XJBC COILCRATA SMD or Through Hole | 0603CS-3N6XJBC.pdf | |
![]() | MPXV7007GPT1 | MPXV7007GPT1 Freescale SMD or Through Hole | MPXV7007GPT1.pdf | |
![]() | MH1V329XTJ-15 | MH1V329XTJ-15 MITSUBISHI SMD or Through Hole | MH1V329XTJ-15.pdf | |
![]() | M66442-0002GP | M66442-0002GP RENESAS TQFP | M66442-0002GP.pdf | |
![]() | LDU200-S-R | LDU200-S-R RESPower SMD or Through Hole | LDU200-S-R.pdf | |
![]() | HFI0603US-R27J | HFI0603US-R27J Bing-ri SMD | HFI0603US-R27J.pdf |