창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMP58D0LFB-7B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMP58D0LFB | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8옴 @ 100mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 27pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 470mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-UFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-X1DFN1006 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | DMP58D0LFB-7BDICT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMP58D0LFB-7B | |
| 관련 링크 | DMP58D0, DMP58D0LFB-7B 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | AT0805CRD07768RL | RES SMD 768 OHM 0.25% 1/8W 0805 | AT0805CRD07768RL.pdf | |
| SBCHE63R9K | RES 3.90 OHM 7W 10% AXIAL | SBCHE63R9K.pdf | ||
![]() | DL-10FPC | DL-10FPC EMIFILTER DIP | DL-10FPC.pdf | |
![]() | S1SM6 | S1SM6 ORIGINAL SMD or Through Hole | S1SM6.pdf | |
![]() | SK150DAR100D | SK150DAR100D ORIGINAL GTR | SK150DAR100D.pdf | |
![]() | OCP8020-4.2V | OCP8020-4.2V ORIGINAL 2010 | OCP8020-4.2V.pdf | |
![]() | CN3701 | CN3701 ORIGINAL TSSOP16 | CN3701.pdf | |
![]() | 19-09-1061 | 19-09-1061 MOLEX SMD or Through Hole | 19-09-1061.pdf | |
![]() | XC7SH14GW | XC7SH14GW NXP SMD or Through Hole | XC7SH14GW.pdf | |
![]() | M36L0R7060U3ZS | M36L0R7060U3ZS ST BGA | M36L0R7060U3ZS.pdf | |
![]() | MAX3665EUA+ | MAX3665EUA+ Maxim SMD or Through Hole | MAX3665EUA+.pdf |