창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMP3050LVT-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMP3050LVT | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 620pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMP3050LVT-7DITR DMP3050LVT7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMP3050LVT-7 | |
| 관련 링크 | DMP3050, DMP3050LVT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | RT1206CRD07226RL | RES SMD 226 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD07226RL.pdf | |
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![]() | OR2C08A4M84-D | OR2C08A4M84-D LAT Call | OR2C08A4M84-D.pdf | |
![]() | ST28EE011-286-3CF | ST28EE011-286-3CF SST DIP | ST28EE011-286-3CF.pdf | |
![]() | 5509-AS | 5509-AS CS SOP16 | 5509-AS.pdf | |
![]() | 202S43W101MV4E | 202S43W101MV4E JOHANSON SMD or Through Hole | 202S43W101MV4E.pdf | |
![]() | NE55 | NE55 IR TO-220 | NE55.pdf | |
![]() | 70T03 | 70T03 N/A TO-220 | 70T03.pdf |