창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMP3050LSS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMP3050LSS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 620pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMP3050LSS-13DITR DMP3050LSS13 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMP3050LSS-13 | |
| 관련 링크 | DMP3050, DMP3050LSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | NZH3V6B,115 | DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123F | NZH3V6B,115.pdf | |
![]() | T1551N52TOH | T1551N52TOH INFINEON SMD or Through Hole | T1551N52TOH.pdf | |
![]() | 4N24AHV | 4N24AHV o CAN6 | 4N24AHV.pdf | |
![]() | 2SK14 | 2SK14 T/NEC CAN | 2SK14.pdf | |
![]() | Z8610812PSC | Z8610812PSC ORIGINAL DIP | Z8610812PSC.pdf | |
![]() | M7464-01 | M7464-01 OKI QFP | M7464-01.pdf | |
![]() | TA7900FG-5.EL | TA7900FG-5.EL TOS SOP-0.52-14 | TA7900FG-5.EL.pdf | |
![]() | HM517800BTT6 | HM517800BTT6 HITACHI TSOP | HM517800BTT6.pdf | |
![]() | PIC12CE673-10I/P | PIC12CE673-10I/P MIC SMD or Through Hole | PIC12CE673-10I/P.pdf | |
![]() | CL42C151JKINNN | CL42C151JKINNN SAMSUNG SMD | CL42C151JKINNN.pdf | |
![]() | RG2D107M1631M | RG2D107M1631M SAMWHA SMD or Through Hole | RG2D107M1631M.pdf | |
![]() | MN7D029P5A | MN7D029P5A Panaso QFP-128 | MN7D029P5A.pdf |