창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMP21D0UT-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMP21D0UT | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 590mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 495m옴 @ 400mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.54nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 80pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 240mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMP21D0UT-7DITR DMP21D0UT7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMP21D0UT-7 | |
| 관련 링크 | DMP21D, DMP21D0UT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 0805VA121JAT2A | 120pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 0805VA121JAT2A.pdf | |
![]() | TS184F33IET | 18.432MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS184F33IET.pdf | |
![]() | SIT8008BC-81-33E-20.000000T | OSC XO 3.3V 20MHZ OE | SIT8008BC-81-33E-20.000000T.pdf | |
![]() | G6B-1114P-US-DC9 | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 9VDC Coil Through Hole | G6B-1114P-US-DC9.pdf | |
![]() | FA3698F | FA3698F FUJ QFP | FA3698F.pdf | |
![]() | 302WP-1AH-C-M02-DC12V | 302WP-1AH-C-M02-DC12V ORIGINAL DIP | 302WP-1AH-C-M02-DC12V.pdf | |
![]() | 25.0000B SG-636PCG | 25.0000B SG-636PCG EPSON SOJ4 | 25.0000B SG-636PCG.pdf | |
![]() | LMBTH10Q | LMBTH10Q LRC TO-223 | LMBTH10Q.pdf | |
![]() | ZGDC35-93HP+ | ZGDC35-93HP+ MINI SMD or Through Hole | ZGDC35-93HP+.pdf | |
![]() | M29F200BB-70M1 | M29F200BB-70M1 ST OO | M29F200BB-70M1.pdf | |
![]() | 11D-12S12N2 | 11D-12S12N2 YDS DIP | 11D-12S12N2.pdf |