창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMP213DUFA-7B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMP213DUFA | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 145mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10옴 @ 200mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.35nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 27.2pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 360mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | X2-DFN0806-3 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMP213DUFA-7B | |
| 관련 링크 | DMP213D, DMP213DUFA-7B 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | R46KN322000M1M | 0.22µF Film Capacitor 275V 560V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.236" W (26.50mm x 6.00mm) | R46KN322000M1M.pdf | |
![]() | RT0603CRC07909RL | RES SMD 909 OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRC07909RL.pdf | |
![]() | RL1218JK-070R027L | RES SMD 0.027 OHM 1W 1812 WIDE | RL1218JK-070R027L.pdf | |
![]() | MN101CB4DSA-EF | MN101CB4DSA-EF PANASONIC QFN | MN101CB4DSA-EF.pdf | |
![]() | 2BFO | 2BFO AD SOT23 | 2BFO.pdf | |
![]() | A165L-JWM-24D-2 | A165L-JWM-24D-2 Omron SMD or Through Hole | A165L-JWM-24D-2.pdf | |
![]() | cab801 | cab801 div SMD or Through Hole | cab801.pdf | |
![]() | S553-5999-37 | S553-5999-37 BEI SMD or Through Hole | S553-5999-37.pdf | |
![]() | MB88514BP-G-417M-SH | MB88514BP-G-417M-SH FUJISTU DIP | MB88514BP-G-417M-SH.pdf | |
![]() | HDC200LBk | HDC200LBk HLB SMD or Through Hole | HDC200LBk.pdf | |
![]() | XC2S200 FG256AMS | XC2S200 FG256AMS XILINX BGA | XC2S200 FG256AMS.pdf | |
![]() | TLE4251 D | TLE4251 D INFINEON P-TO-252-5-1 | TLE4251 D.pdf |