창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMP2033UVT-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMP2033UVT | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 4.2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.4nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 845pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMP2033UVT-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMP2033UVT-7 | |
| 관련 링크 | DMP2033, DMP2033UVT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | GRM188R71C223KA01J | 0.022µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM188R71C223KA01J.pdf | |
![]() | VJ0402D2R2CLCAJ | 2.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R2CLCAJ.pdf | |
![]() | L1MS9107AEZ | L1MS9107AEZ NS DIP SOP | L1MS9107AEZ.pdf | |
![]() | MAX9700CETB+T | MAX9700CETB+T MAXIM BGA | MAX9700CETB+T.pdf | |
![]() | AT49HBV010-70TI | AT49HBV010-70TI ATMEL TSOP32 | AT49HBV010-70TI.pdf | |
![]() | SM-1XN02 | SM-1XN02 Org DIP | SM-1XN02.pdf | |
![]() | CP5024 | CP5024 ORIGINAL LQFP-100 | CP5024.pdf | |
![]() | BAR90-02LRHE63> | BAR90-02LRHE63> INF SMD or Through Hole | BAR90-02LRHE63>.pdf | |
![]() | 2SB4175 | 2SB4175 NEC SOT-323 | 2SB4175.pdf | |
![]() | PTAS5122DFD | PTAS5122DFD TIS Call | PTAS5122DFD.pdf | |
![]() | URT1V470MNH | URT1V470MNH NICHICON DIP | URT1V470MNH.pdf |