창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMP2021UFDF-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMP2021UFDF | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 7A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2760pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 730mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | U-DFN2020-6 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DMP2021UFDF-13DI | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMP2021UFDF-13 | |
| 관련 링크 | DMP2021U, DMP2021UFDF-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RG3216P-5232-B-T1 | RES SMD 52.3K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-5232-B-T1.pdf | |
![]() | CR1206-01-R025F | CR1206-01-R025F IRC FUSE | CR1206-01-R025F.pdf | |
![]() | FB1S33J11E2000 | FB1S33J11E2000 JAE SMD | FB1S33J11E2000.pdf | |
![]() | MB3243M | MB3243M TI SSOP28 | MB3243M.pdf | |
![]() | NM301AP | NM301AP ORIGINAL DIP-8 | NM301AP.pdf | |
![]() | 7061942G | 7061942G N/A QFN | 7061942G.pdf | |
![]() | MU9C8480B-50TBC | MU9C8480B-50TBC MUSIC TQFP1414-64 | MU9C8480B-50TBC.pdf | |
![]() | K7A801801A-QC16 | K7A801801A-QC16 Samsung TQFP100 | K7A801801A-QC16.pdf | |
![]() | SZ1V109M35080 | SZ1V109M35080 SAMWHA SMD or Through Hole | SZ1V109M35080.pdf | |
![]() | C1608COG1H0R2BT000N | C1608COG1H0R2BT000N TDK SMD | C1608COG1H0R2BT000N.pdf | |
![]() | JMV0603C120T151 | JMV0603C120T151 JOYIN SMD or Through Hole | JMV0603C120T151.pdf | |
![]() | SD-DR9LFYGE1-TP+ | SD-DR9LFYGE1-TP+ OK SMD or Through Hole | SD-DR9LFYGE1-TP+.pdf |