홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » DMP1200UFR4-7

Diodes Incorporated DMP1200UFR4-7

DMP1200UFR4-7
제조업체 부품 번호
DMP1200UFR4-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
DMP1200UFR4-7 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 100.29951
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DMP1200UFR4-7 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMP1200UFR4-7 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMP1200UFR4-7가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DMP1200UFR4-7 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMP1200UFR4-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMP1200UFR4-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMP1200UFR4
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs100m옴 @ 2A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs5.8nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds514pF @ 5V
전력 - 최대480mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XFDFN
공급 장치 패키지X2-DFN1010-3
표준 포장 3,000
다른 이름DMP1200UFR4-7DITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMP1200UFR4-7
관련 링크DMP1200, DMP1200UFR4-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DMP1200UFR4-7 의 관련 제품
0.047µF 450V 세라믹 커패시터 X7T 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) CGA4J4X7T2W473K125AA.pdf
1.2pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) 501S42E1R2AV4E.pdf
RES SMD 56.2 OHM 1% 1/16W 0402 AC0402FR-0756R2L.pdf
57F687A05E CSR BGA 57F687A05E.pdf
KUL-11A15SS-120 P&B DIP-SOP KUL-11A15SS-120.pdf
S-8321BAMP-DTA-T2 ORIGINAL SMD S-8321BAMP-DTA-T2.pdf
L6562D / L6562D ORIGINAL SO-8() L6562D / L6562D.pdf
BTA12-600TW ST TO-220 BTA12-600TW.pdf
K40263238E SAMSUNG BGA K40263238E.pdf
45DB321D-SU ATMEL SOP-8 45DB321D-SU.pdf
CL-GD7543-85QC-BC CIRRUSLOGI QFP CL-GD7543-85QC-BC.pdf