창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN67D8LW-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN67D8LW | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.82nC @ 10V | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 22pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 320mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN67D8LW-13 | |
관련 링크 | DMN67D8, DMN67D8LW-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | VS-10ETF06SPBF | DIODE GEN PURP 600V 10A D2PAK | VS-10ETF06SPBF.pdf | |
![]() | TCM1E475CSSR | TCM1E475CSSR DAEWOO SMD or Through Hole | TCM1E475CSSR.pdf | |
![]() | EM78P447SBP-GJ | EM78P447SBP-GJ ELANEMC DIP32 | EM78P447SBP-GJ.pdf | |
![]() | CMP04NBC | CMP04NBC AD SMD or Through Hole | CMP04NBC.pdf | |
![]() | IDT75T43100-S50BS(CBQ) | IDT75T43100-S50BS(CBQ) IDT SMD or Through Hole | IDT75T43100-S50BS(CBQ).pdf | |
![]() | 2SB991 | 2SB991 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SB991.pdf | |
![]() | RB162L-60 | RB162L-60 ROHM SOD106(SMA) | RB162L-60.pdf | |
![]() | ADZZ | ADZZ ORIGINAL 5SOT-23 | ADZZ.pdf | |
![]() | GL723P | GL723P ORIGINAL DIP | GL723P.pdf | |
![]() | PAA75F-15-N | PAA75F-15-N ORIGINAL NEW | PAA75F-15-N.pdf | |
![]() | SN65HVD3082EDRG4-T | SN65HVD3082EDRG4-T TI SOP8 | SN65HVD3082EDRG4-T.pdf | |
![]() | MMBT3906DWT1 | MMBT3906DWT1 DIODES SOT-363 | MMBT3906DWT1.pdf |