Diodes Incorporated DMN63D8LW-7
- 제조업체 부품 번호
- DMN63D8LW-7
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
DMN63D8LW-7 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 27.30499
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 DMN63D8LW-7 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMN63D8LW-7 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMN63D8LW-7가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- DMN63D8LW-7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMN63D8LW-7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN63D8LW-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN63D8LW | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 380mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8옴 @ 250mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23.2pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN63D8LW-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN63D8LW-7 | |
| 관련 링크 | DMN63D, DMN63D8LW-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
DMN63D8LW-7 의 관련 제품
.jpg) | 800B1R2BT500XT | 1.2pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 800B1R2BT500XT.pdf | |
 | 416F270X2AAT | 27MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F270X2AAT.pdf | |
 | ASGTX-P-491.250MHZ-2-T2 | 491.25MHz LVPECL VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 60mA | ASGTX-P-491.250MHZ-2-T2.pdf | |
 | MP6-2M-1Q-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-2M-1Q-00.pdf | |
 | 1210R-822H | 8.2µH Unshielded Inductor 305mA 2 Ohm Max 2-SMD | 1210R-822H.pdf | |
 | CMF552K0300BHRE | RES 2.03K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF552K0300BHRE.pdf | |
| CMF5530R900BEEB70 | RES 30.9 OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5530R900BEEB70.pdf | |
 | 0050G15100000400 | 0050G15100000400 NISSEIELECTRICCOLTD PA-ECHU1 | 0050G15100000400.pdf | |
| PE1008CD680JTT | PE1008CD680JTT pulse INSTOCKPACK1600 | PE1008CD680JTT.pdf | |
| MB8118-10P-G | MB8118-10P-G FUJ DIP-16 | MB8118-10P-G.pdf | |
| UPC2409A | UPC2409A NEC SMD or Through Hole | UPC2409A.pdf | |
| MAX1697UEUT-T | MAX1697UEUT-T MAX 6 SOT23 | MAX1697UEUT-T.pdf |