창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN62D0SFD-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN62D0SFD | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 540mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.87nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 30.2pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 430mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-UDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-X1DFN1212 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN62D0SFD-7DITR DMN62D0SFD7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN62D0SFD-7 | |
| 관련 링크 | DMN62D0, DMN62D0SFD-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 5NT821MBGCA | 820pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 Y5F 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | 5NT821MBGCA.pdf | |
![]() | 595D225X0050C2T | 2.2µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 50V 2812 (7132 Metric) 1.7 Ohm 0.280" L x 0.126" W (7.10mm x 3.20mm) | 595D225X0050C2T.pdf | |
![]() | 74477510 | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 2.3A 70 mOhm Max Nonstandard | 74477510.pdf | |
![]() | TLK2201RCP | TLK2201RCP TEXAS SMD or Through Hole | TLK2201RCP.pdf | |
![]() | 25WR100 | 25WR100 BI SMD or Through Hole | 25WR100.pdf | |
![]() | SBR-EV-29-P-ML | SBR-EV-29-P-ML M/WSI SMD or Through Hole | SBR-EV-29-P-ML.pdf | |
![]() | E1209D-1W = NN1-12S09D3 | E1209D-1W = NN1-12S09D3 SANGMEI DIP | E1209D-1W = NN1-12S09D3.pdf | |
![]() | M74HC107M1R | M74HC107M1R STM SOP-3.9m | M74HC107M1R.pdf | |
![]() | V275LA20AX1466 | V275LA20AX1466 HARRIS ORIGINAL | V275LA20AX1466.pdf | |
![]() | 42592 | 42592 LINEAR SMD or Through Hole | 42592.pdf |