홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » DMN61D8LQ-7

Diodes Incorporated DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7
제조업체 부품 번호
DMN61D8LQ-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V SOT23
데이터 시트 다운로드
다운로드
DMN61D8LQ-7 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 148.26240
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DMN61D8LQ-7 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMN61D8LQ-7 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMN61D8LQ-7가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DMN61D8LQ-7 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMN61D8LQ-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMN61D8LQ-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서Diodes Automotive Brochure
DMN61D8LQ
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C470mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.8옴 @ 150mA, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs0.74nC @ 5V
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds12.9pF @ 12V
전력 - 최대390mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23
표준 포장 3,000
다른 이름DMN61D8LQ-7DITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMN61D8LQ-7
관련 링크DMN61D, DMN61D8LQ-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DMN61D8LQ-7 의 관련 제품
680µF Niobium Oxide Capacitor 4V 2924 (7361 Metric) 75 mOhm ESR NOSV687M004S0075.pdf
OSC XO 1.8V 33.33333MHZ SIT1602BI-12-18E-33.333330D.pdf
RES SMD 549 OHM 0.1% 0.4W 2010 TNPW2010549RBETF.pdf
0372DP1 ON DIP8 0372DP1.pdf
PZU24B2，115 NXP SOD323 PZU24B2，115.pdf
MV6340 DENSO SOP-28 MV6340.pdf
GMBTA05 GTM SOT-23 GMBTA05.pdf
90119 MOLEX NA 90119.pdf
SI9432 SI MSOP SI9432.pdf
M24C32-RMN6TP_EEPROM_32K ST SOP M24C32-RMN6TP_EEPROM_32K.pdf
M-TSOTLT2G5-3BAL15-DB AGERE SMD or Through Hole M-TSOTLT2G5-3BAL15-DB.pdf
40-A260-00-00 HE/YJ SMD or Through Hole 40-A260-00-00.pdf