Diodes Incorporated DMN6075S-13
- 제조업체 부품 번호
- DMN6075S-13
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
DMN6075S-13 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 101.49800
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 DMN6075S-13 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMN6075S-13 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMN6075S-13가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- DMN6075S-13 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMN6075S-13 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN6075S-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN6075S | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 3.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 606pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DMN6075S-13DI | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN6075S-13 | |
| 관련 링크 | DMN607, DMN6075S-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
DMN6075S-13 의 관련 제품
.jpg) | CC0402JRNPO9BN391 | 390pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CC0402JRNPO9BN391.pdf | |
 | LDS0705-100M-R | 10µH Shielded Wirewound Inductor 2.54A 36 mOhm Nonstandard | LDS0705-100M-R.pdf | |
 | TL122K47R0 | RES CHAS MNT 47 OHM 10% 202W | TL122K47R0.pdf | |
 | RG3216P-9762-B-T1 | RES SMD 97.6K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-9762-B-T1.pdf | |
 | MCT06030D1370BP100 | RES SMD 137 OHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D1370BP100.pdf | |
| MT58L256L18P1T-7.5C | MT58L256L18P1T-7.5C MICRONTECHNOLOGYINC NA | MT58L256L18P1T-7.5C.pdf | |
| NJM2533M (TE1) | NJM2533M (TE1) JRC SOP | NJM2533M (TE1).pdf | |
| LB1846M-R-TLM-E | LB1846M-R-TLM-E SANYO SOP10 | LB1846M-R-TLM-E.pdf | |
| PMBZ5235 | PMBZ5235 NXP SOT-23 | PMBZ5235.pdf | |
| C8051F046 | C8051F046 SILICON TQFP100 | C8051F046.pdf | |
| 29FXR-RSM1-GAN-TB(LF)(SN)(M) | 29FXR-RSM1-GAN-TB(LF)(SN)(M) JST SMD or Through Hole | 29FXR-RSM1-GAN-TB(LF)(SN)(M).pdf | |
| P1166.224T | P1166.224T PULSE SMD or Through Hole | P1166.224T.pdf |