창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN55D0UT-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN55D0UT | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 100mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-523 | |
공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN55D0UT7 DMN55D0UTDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN55D0UT-7 | |
관련 링크 | DMN55D, DMN55D0UT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
LT Y87S-P2R1-35-Z | Green 528nm LED Indication - Discrete 3.4V 2-SMD, Flat Lead | LT Y87S-P2R1-35-Z.pdf | ||
PD104R-823K | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 850mA 250 mOhm Max Nonstandard | PD104R-823K.pdf | ||
MCR18ERTJ121 | RES SMD 120 OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18ERTJ121.pdf | ||
1HJ87-004G | 1HJ87-004G HAR CFP-20 | 1HJ87-004G.pdf | ||
HK2E827M30035H | HK2E827M30035H SAMWHA TB | HK2E827M30035H.pdf | ||
21-00903-0 | 21-00903-0 ORIGINAL QFP | 21-00903-0.pdf | ||
TMS4C1060-30SD | TMS4C1060-30SD TI ZIP20 | TMS4C1060-30SD.pdf | ||
SP232ECN/ECP | SP232ECN/ECP SIPEX SMD or Through Hole | SP232ECN/ECP.pdf | ||
01592-1130 | 01592-1130 MOLEX SMD or Through Hole | 01592-1130.pdf | ||
C032BI | C032BI ns CDIP20 | C032BI.pdf | ||
BT137S-600D.118 | BT137S-600D.118 NXP SMD or Through Hole | BT137S-600D.118.pdf | ||
DS78C20AJ/883 | DS78C20AJ/883 NS DIP | DS78C20AJ/883.pdf |